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规模最大、实力最强的电子特种气体生产企业
2016-10-27 10:32:46
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随着世界电子行业的快速发展,高纯电子气体的生产和销售呈稳步上升趋势,具有广阔的发展前景。位于邯郸的七一八所深化产业发展,持续加强技术创新、商业模式创新,不断提升自主研发能力,目前已成为国内规模最大、实力最强,具有较强国际竞争力的电子特种气体及三氟甲磺酸系列产品的生产企业。
如今电子产品的使用日渐普及,三氟化氮等特种气体消耗量增长迅猛。但以美、日、韩为代表的主要生产国,利用产业链的主导优势,以战略物资为由对中国进口三氟化氮进行严格控制,严重制约了我国半导体、信息等产业的发展。在这种情况下,七一八所着手对这个项目的科研攻关。七一八所对三氟化氮气体的研制最早可追溯到20世纪80年代初期,初期仅作为一种实验用气,年产只有数十公斤,而且纯度较低。“十五”初期,为破解垄断危机抢抓市场机遇,七一八所果断组建特种气体工程部,立项开展高纯三氟化氮特种气体及其生产工艺的研究。“十五”中期,七一八所自筹研发经费300多万元,成功开发出高纯三氟化氮电子特种气体,填补了国内空白, 2005年建成目前国内唯一的年产300吨的生产线,产品在国内几乎所有半导体、液晶、太阳能行业成功应用,打破了日美的技术垄断,完全替代进口,并出口美国、日本、法国、德国、新加坡等发达国家。2015年8月,七一八所年产1500吨三氟化氮特种电子气体生产线建设完成并投入运行,当年实现销售收入3亿多元,为国内企业节省40多亿元的支出。
在这种情况下,七一八所着手对这个项目的科研攻关。七一八所对三氟化氮气体的研制最早可追溯到20世纪80年代初期,初期仅作为一种实验用气,年产只有数十公斤,而且纯度较低。“十五”初期,为破解垄断危机抢抓市场机遇,七一八所果断组建特种气体工程部,立项开展高纯三氟化氮特种气体及其生产工艺的研究。“十五”中期,七一八所自筹研发经费300多万元,成功开发出高纯三氟化氮电子特种气体,填补了国内空白, 2005年建成目前国内唯一的年产300吨的生产线,产品在国内几乎所有半导体、液晶、太阳能行业成功应用,打破了日美的技术垄断,完全替代进口,并出口美国、日本、法国、德国、新加坡等发达国家。2015年8月,七一八所年产1500吨三氟化氮特种电子气体生产线建设完成并投入运行,当年实现销售收入3亿多元,为国内企业节省40多亿元的支出。
高纯
三氟化氮
特种气体快速发展的同时,七一八所积极跟踪国际氟化工前沿技术,加大探索新技术研发新产品的步伐,他们先后立项开展六氟化钨、三氟甲磺酸系列产品等20多种高纯特种气体的研发工作,陆续投资5600多万元,累计获得国拨资金3200万元,开发出氘气、六氟化钨、三氟甲磺酸、三氟甲磺酸酐等新产品,取得专利18项,市场前景广阔,正在扩大产能。 为进一步做大特种气体产业,抓住国家拉动内需、发展战略性新兴产业的有利时机,按照国家发布的重点支持领域,由七一八所牵头联合申报的国家民口重大科技“02专项”——“高纯电子气体研发与产业化项目”于2013年1月成功立项,列入国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重点专项。
目前,七一八所生产的三氟化氮产品国外市场已进入全球用户的30%;国内市场已进入90%以上的用户。六氟化钨产品国际市场已进入全球用户的30%;国内市场已进入90%以上的用户。七一八所将继续加大创新力度,研发更多拳头产品,为邯郸市经济发展做出更大贡献。
谱源气体专业供应高纯三氟化氮,气体热线:
13711176807
分子式:NF3。
基本性质:气体分子量:71.01,熔点:–206.8℃(1atm),沸点:–129℃(1atm),临界温度:–39.3℃,临界压 力:44.02atm(4.46MPa),液体密度:1554 kg/m3(1atm,沸点时),气体密度:2.95 kg/m3(1atm,21℃),水中溶解度(1atm,22℃):1.43×10-5当量浓度。纯净的NF3气体是一种无色无味的气体,当混入一定量的杂质气体后颜色发黄,同时会有发霉或刺激性气味。NF3气体不可燃,但能助燃。当温度超过350℃时,三氟化氮气体会缓慢分解,分解时产生强氧化性氟,因此,在高温下它是一种强氧化剂。
CAS No.:7783-54-2。
UN UN.:2451
危险性类别:第2.3类有毒气体,在空气中的最高允许含量为29mg/m3。
产品纯度: 99.99%~99.995%
产品包装:47L专用钢瓶,22kg/瓶;40L专用钢瓶,20kg/瓶;8L专用钢瓶,3.4kg/瓶;钢瓶标准:DOT-3AA, GB5099;阀门:CGA330、CGA640
产品用途:三氟化氮是用作氟化氢-氟化气高能化学激光器的氟源,在h2-O2 与F2之间反应能的有效部分(约25%)可以以激光辐射释放出,所HF-OF激光器是化学激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体,对硅和氮化硅蚀刻,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳与氧气的混合气体有更高的蚀刻速率和选择性,而且对表面无污染,尤其是在厚度小于1.5um的集成电路材料的蚀刻中,三氟化氮具有非常优异的蚀刻速率和选择性,在被蚀刻物表面不留任何残留物,同时也是非常良好的清洗剂。随着纳米技术的发展和电子工业大规模的发展技术,它的需求量将日益增加。
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