高纯氨气技术指标及用途
高纯氨气(High Purity Ammonia), NH3,有刺激性恶臭的无色气体,极易溶于水。高纯氨气是强腐蚀性有毒物质,对皮肤和眼睛有强烈腐蚀作用,产生严重疼痛性灼伤。我国高纯氨规模化生产始于1999年。
高纯氨产品技术指标
项目 | 电子级 |
氨(NH3)纯度(体积分数)/10-2 | 99.9995 |
氧(O2)含量(体积分数)/10-6 | 1 |
氮(N2)含量(体积分数)/10-6 | 1 |
一氧化碳(CO)含量(体积分数)/10-6 | 1 |
烃(C1~C3)含量(体积分数)/10-6 | 1 |
水分(H2O)含量(体积分数)/10-6 | 3 |
总杂志含量(体积分数)/10-6 | 5 |
超高纯氨气产品技术指标
项目 | 电子级 |
氨(NH3)纯度(体积分数)/10-2 | 99.99994 |
氧(O2)含量(体积分数)/10-6 | 0.1 |
氢(H2)含量(体积分数)/10-6 | 0.1 |
一氧化碳(CO)含量(体积分数)/10-6 | 0.05 |
二氧化碳(CO2)含量(体积分数)/10-6 | 0.1 |
烃(C1~C3)含量(体积分数)/10-6 | 0.05 |
水分(H2O)含量(体积分数)/10-6 | 0.2 |
| 0.6 |
高纯氨主要用途?
高纯氨(NH3)主要用于制造高质量的氮化物。氮化镓(GaN)和氮化硅(Si3N4)前者是制造发光二极管的基础,而后者广泛应用于太阳能电池(光伏)、集成电路(IC)和液晶显示器(LCD)的制造。
高纯氨应用原理?
【1】Ga(CH3)3+ NH3 → GaN + 4CH4;
这个反应是制造发光二极管(LED)外延芯片的氮化镓的基 础,反应在昂贵的 MOCVD (有机金属气相沉积)设备上完成。
【2】3SiH4 + 4NH3→ Si3N4 + 12H2;
这个反应是制造氮化硅(Si3N4 )的基础,由硅烷(SiH4 )和高纯氨在较高温度下,在化学气相沉积(CVD)设备中进行反应,此反应也需要相当数量的高纯氨气。
为什么要使用高纯氨?
假如氨的纯度不够高,例如氨中混有一些水(氨极易溶于水,而且我们周围环境中到处都是水),会有什么后果呢?
硅烷会先跟水(而不是跟氨)反应:
SiH4 + 2H2O → SiO2 + 3H2;
实际上,只要氨中水含量达到万分之一,水基本上就完全代替氨从而和硅烷反应,反应生成的是 SiO2 而不是
Si3N4,这样就无法满足电子工业严格要求的工艺条件了,其中的原因在于水比氨更容易与硅烷反应结合,生成的SiO2 也比 Si3N4更稳定。要想让
LED的发光增强,那就要设法增多其中的电子和空穴(称为载流子),这样就对高纯氨的纯度提出了非常高的要求,实验已经证明,高纯氨中的水会首先反应生成稳定的
SiO2 ,而SiO2是不能贡献电子的,这样也无法获得 n 型 GaN。会极大地影响到
LED的亮度,原因就在于高纯氨中的微量水会大大降低载流子的浓度。
使用不纯的高纯氨(含水的氨), 在芯片制造中就会生成更稳定的氧化物而不是氮化物,从而降低甚至摧毁芯片的性能。
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