海力士－意法半导体12英寸模集成电路制造项目详细评价

12英寸（40K/月）主要原辅材料的消耗一览表 序号 原料名称 应用工段 每片消耗量 （kg/片） 年消耗量 （kg/a） 1 硅片 - - 576000片 2 光掩膜版 - - 329片 3 ACT-935 单乙醇胺(50～60%)；羟胺(10～20%) 扩散 0.78315 375,909.7 4 BOE　LAL15(300:1,SA-X,200KG/DR) NH4F(16.7～17.3%)；HF(0.06%) 0.52132 250,233.1 5 BOE LAL1400(SAX 200KG/DR) NH4F(19.7～20.3%)；HF(3.8～4.2%) 3.32753 1,597,214.2 6 H2O2 2.38954 1,146,980.6 7 H2SO4 1.75190 840,912.0 8 H3PO4 0.71820 344,736.0 9 HF(100:1) 8.74058 4,195,476.2 10 HF(49%)SA 0.40178 192,855.3 11 HF(49%)SAX 0.19038 91,382.3 12 HNO3 0.07050 33,840.0 13 HSS（ABBRASIV） 0.08640 41,472.0 14 HSS（ADDITIVE） 0.21400 102,720.0 15 IPA 0.69233 332,317.4 16 NH4OH 2.01501 967,206.2 17 OXIDE SLURRY(SS-25) 2.55611 1,226,933.8 18 SSW2000 0.27427 131,648.2 19 T.C.A(7N,1500CC,2KG/CYL) 0.00133 636.0 20 TMA(AL(CH3)3,6N,4L,2.406KG/BT) 0.00378 1,812.0 21 1%PH3/HE 0.00038 184.3 22 CLF3 0.00119 571.7 23 DCS(二氯硅烷) 0.00433 2,077.0 24 F2 0.00048 230.0 25 HF 0.00025 121.8 26 N2O 0.03629 17,421.1 27 NF3 0.00090 429.6 28 NH3 0.02593 12,444.2 29 SiH4 0.04381 21,026.9 30 AR 0.00010 45.6 31 AsH3 0.00006 28.3 32 BF3 0.00014 66.5 33 PH3 0.00003 14.9 34 Xe 0.00003 13.4 35 CO2 0.00011 54.2 36 IPA 薄膜 0.17308 83,079.4 37 THINNER 0.01880 9,025.0 38 SOG 0.00306 1,468.8 39 TEOS(7N5,5GL,18KG/CYL) 原硅酸四乙酯 0.02445 11,736.0 40 TEB(4N,15KG/CYL) 0.00228 1,092.0 41 TEPO(4N,15KG/CYL) 0.00128 612.0 42 TDMAT(EX,0.4KG,1.3LT/CYL) 0.00018 85.2 43 TMB(7N5,5GL,15KG/CYL) 0.00090 432.0 44 TMPI(7N5,5GL,15KG/CYL) 0.00090 432.0 45 1%PH3/H2 0.00002 8.2 46 B2H6 0.00069 330.7 47 CLF3 0.00320 1,535.8 48 N2O 0.11593 55,645.9 49 NF3 0.60786 291,774.9 50 NH3 0.04814 23,105.3 51 SiH4 0.01284 6,160.8 52 TiCl4 0.00440 2,112.0 53 WF6 0.11798 56630.62 54 DEVELOP （四甲基氢氧化铵20%） 感光 13.25577 6,362,768.7 55 HMDS （六甲基二硅烷胺99.70%） 0.04971 23,859.6 56 LST RINSE 0.64212 308,215.7 57 P/R 0.17252 82,808.2 58 POLYMIDE 0.00545 2,617.0 59 THINNER 0.91913 441,181.9 60 F2/Ar/Ne/Xe （F：Ar：Ne：Xe＝1：1：1：1） 0.00022 104.0 61 Ar/Xe/Ne 0.00047 223.7 62 F2/Kr/Ne （F：Kr：Ne＝1：1：1） 0.00023 111.4 63 Kr/Ne 0.00029 140.6 64 N2/Ne 0.00368 1,766.9 65 BCl3 刻蚀 0.00918 4,405.0 66 C2F6 0.00141 678.3 67 C4F6 0.01351 6,486.2 68 C4F8 0.00590 2,832.2 69 C5F8 0.00878 4,213.9 70 CF4 0.08165 39,191.5 71 CH2F2 0.00345 1,654.3 72 CHF3 0.02757 13,233.7 73 Cl2 0.01681 8,068.3 74 CO 0.00117 560.2 75 H2/N2(4/96) 0.00005 21.6 76 HBr 0.00594 2,849.3 77 NF3 0.00123 590.9 78 SF6 0.04155 19,942.8 79 Xe 0.00050 241.0 80 自来水* M3 10.2 4896000 81 超纯水 M3 5.6 2688000 82 电 KW.h 864 414720000 83 压缩空气 M3 136.42 65481600 84 冷量 KW 127 60960000 85 蒸汽 Kg 166.7 80016000